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技術レポート[vol.542014-1]プ移行の溶滴移行を図2に示す。この移行は主にシール安定な溶滴移行形態である。アークは緊縮し、溶滴下端ドガスにアルゴン主体の混合ガスを用いたGMAWの低面にアークが集中する。そのため、溶滴はアーク反力に電流・高電圧条件において発生する。アークが這い上がよって押し上げられ、変形を伴いながら成長する。大きくり、溶滴側面から安定したアークが発生する。このとき、成長した溶滴が離脱前に溶融池と接触した場合、アーク溶滴はほとんど揺動することがなく、離脱した溶滴はア再発生に伴い、溶滴や溶融池の一部が吹き飛ばされてーク柱内を静かに落下する。従って、スパッタの発生は多量のスパッタを発生させる。また、短絡を伴わない場比較的少ない。(2)リペルド(反発)移行[特徴]合もアーク反力に反発しながら溶滴が離脱するため、ドロップ移行のようにアーク柱内を落下することはなく、離脱後の溶滴自身が回転しながら溶融池外に飛散する場リペルド移行の溶滴移行を図3(a)に示す。炭酸ガスア合が多い。従って、大粒かつ多量のスパッタを発生させーク溶接の中～高電流条件にて見られる不規則かつ不る溶滴移行形態であると言える。ローテーティング移行4msシールドガスCO2Ar+CO2低電流域～250A短絡移行中～高電流域250～400Aリペルド(反発)移行プロジェクト移行超高電流域400A～図1GMA溶接の溶滴移行形態Arストリーミング移行4msソリッドワイヤφ1.2mm溶接電流:250Aシールドガス:Ar-20%CO2図2ドロップ移行の一例2ms2ms2ms(a)ソリッドワイヤφ1.2mm溶接電流:300Aシールドガス:100%CO23msフラックス柱フラックス柱3msフラックス柱(b)ルチール系フラックス入りワイヤφ1.2mm溶接電流:300Aシールドガス:100%CO2図3リペルド移行の一例-2-
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